緊急分析：2011年日本の地震発生状況のデータベース（1月~10月）

筆者のFeacebookの登録友人から教えて頂いた大変興味深いデータベースです。
日本のハイテク産業（製造・開発拠点）の方々は、必見でしょう。
2011年1月1日00:00～10月15日00:00に日本周辺で発生したM3.0以上の地震まとめ られている。 この分布図データは、個人が作成した非公式な情報である点はご理解を。
但し、データは 気象庁が公表した資料を参照しており、M3.0以上の地震をまとめている。
本来、国がこのような活用出来る（ビジュアルで）データベースを構築すべきである。

【YouTube】
※重要情報：東北地方太平洋沖地震 発生地点・規模・時刻分布図（2011/10/15）http://www.youtube.com/watch?v=QGH08OyQXg4

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緊急分析：国連宛に送られたとされる『ロックフェラーの書簡』を検証する

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緊急分析：SiCウェハの大口径化で市場拡大を目指す日本半導体メーカー

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今回は、SiCの動向を分析しましょう。 富士電機は2011年度中に産業技術総合研究所とSiC 3インチのウエハ対応設備でSiC半導体の生産を始めるのに続き、早ければ2012年度に自社工場に6インチのラインを設置する方向で調整に入る。 ルネサスエレクトロニクスは、3インチで生産の成果を見極め、2012年度にも6インチでの生産開始するという。 ロームのSiCの工場は、ロームつくばであるが、地震のBCPリスクは付きまとうことになる。 ※関連記事：半導体メーカー、省エネパワー半導体の基板材を大口径化 http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201112070016.html ※関連記事：ローム、電力損失を大幅に抑えたＭＯＳＦＥＴ開発 http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201112050010.html?ref=reca ※関連記事：デンソーがSiCデバイス開発を加速、2015年発売の次世代EV搭載を目指す http://eetimes.jp/ee/articles/1112/09/news032.html 【過去の分析検証】 半導体ウォッチ（3）電子立国ニッポン再生のカギは“SiC技術”だ　2007/10/1 http://monoist.atmarkit.co.jp/feledev/articles/siliconeswatch/03/siliconeswatch03a.html "Facebook内の分析" ‎2007年の私の公開している上記の戦略通り付き進めば良い。 SiC成功への鍵は『熱との戦い、高耐圧モジュール化技術』である。 サムスン電子も”パワーデバイス(恐らくIGBT領域だが）再参入する。 日本半導体メーカーは原材料・装置・設計・デバイス・もモジュールを1つのパッケージ・サプライチェーンに仕上げ世界を攻めよ!!そこに勝機がある。 " Facebook内の分析" デンソーの布陣は、デンソー、トヨタ自動車、豊田中央研 究所。 デンソーがトヨタの次世代EV車にSiC（シリコンカーバイド） を搭載へ、2015年ターゲット。デンソー＝トヨタ、ローム＝日 産、三菱半導体＝三菱自動車。
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