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2011年12月7日水曜日

緊急分析:SiCウェハの大口径化で市場拡大を目指す日本半導体メーカー

今回は、SiCの動向を分析しましょう。
富士電機は2011年度中に産業技術総合研究所とSiC 3インチのウエハ対応設備でSiC半導体の生産を始めるのに続き、早ければ2012年度に自社工場に6インチのラインを設置する方向で調整に入る。
ルネサスエレクトロニクスは、3インチで生産の成果を見極め、2012年度にも6インチでの生産開始するという。
ロームのSiCの工場は、ロームつくばであるが、地震のBCPリスクは付きまとうことになる。







※関連記事:半導体メーカー、省エネパワー半導体の基板材を大口径化
http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201112070016.html
※関連記事:ローム、電力損失を大幅に抑えたMOSFET開発
http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201112050010.html?ref=reca
※関連記事:デンソーがSiCデバイス開発を加速、2015年発売の次世代EV搭載を目指す
http://eetimes.jp/ee/articles/1112/09/news032.html

【過去の分析検証】
半導体ウォッチ(3)電子立国ニッポン再生のカギは“SiC技術”だ 2007/10/1
http://monoist.atmarkit.co.jp/feledev/articles/siliconeswatch/03/siliconeswatch03a.html

"Facebook内の分析"
‎2007年の私の公開している上記の戦略通り付き進めば良い。
SiC成功への鍵は『熱との戦い、高耐圧モジュール化技術』である。
サムスン電子も”パワーデバイス(恐らくIGBT領域だが)再参入する。
日本半導体メーカーは原材料・装置・設計・デバイス・もモジュールを1つのパッケージ・サプライチェーンに仕上げ世界を攻めよ!!そこに勝機がある。

"Facebook内の分析"
デンソーの布陣は、デンソー、トヨタ自動車、豊田中央研究所。
デンソーがトヨタの次世代EV車にSiC(シリコンカーバイド)を搭載へ、2015年ターゲット。デンソー=トヨタ、ローム=日産、三菱半導体=三菱自動車。
さて、ルネサスエレクトロニクスは?ロームを蹴落とし、日産のビジネスを奪えるか?
これがルネサスエレクトロニクスがSiCで成功する為の鍵となろう。