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2011年12月9日金曜日

緊急分析:次世代スキャナーのEUV機開発で日本メーカー敗退

28nmノードプロセスを採用したApple社"A5⇒A6”の製造移管(韓国サムスン電子から台湾TSMC社)は、TSMC社側はかなり苦戦しているようである。
これは前から指摘されていた事だが、TSMC社単独での技術開発力の限界(一時期的な)であろう。
このことは、2012年以降のApple社の基本戦略の見直しも必要になると言うことになる。

"Facebook内の分析"
日本半導体製造装置も敗退、その分野は『露光機:スキャナー』である。
かつては、ニコン、キヤノン、オリンパスなど。
寡占化が進みニコン、キヤノンの2強時代、ここに蘭ASLM社(フィリップス社系)が市場参入に、一気に日本勢を駆逐した。
ArFダブルパターニング機でASLM社とニコンとなり、キヤノンは完全敗退。
そして、22nmノード以降に使われるEUV機ではニコンも脱落。既に、最先端スキャナーはASLM社が70%シェアを取ったと筆者は分析している。
日本のマスコミには分析は出来ていないだろう。
EUV機ではASLM社が完全制圧で、日本メーカーは落城したのである。
重要なのはEUVの光源である。米国Cymer社は2011年12月7日、記者説明会を開きEUV光源の開発状況などを説明した。
2方式あるEUV光源のうちLPP方式を採用する同社では、現時点で量産用光源HVM Iを4台出荷している他、年内にもう1台の設置を終える予定としている。
中間集光点の平均出力については自社工場で100W化への検証を完了しており、2012年中旬には、顧客のHVM Iを100Wに随時アップグレードする予定。
CO2レーザが、長期的に高い出力を保てるよう安定性を確保するアルゴリズムを開発した他、CO2レーザによるメインパルスの前にプリパルスを照射するダブルパルス方式の採用により、高出力化のめどをつけた。
次世代機EUV光源HVM IIについては、2012年第2四半期にEUV機を出荷の予定としている。
現状のロードマップでは、HVM IIの出力は250Wとなっているが、出荷時には250Wを多少下回る可能性もある(性能出ず)。

日本の経済産業省の国プロでのEUV機国産開発が負けたという事。
巨額の資金を投じたこの血税の使い方の失敗の責任は誰が取るのだろうか?
原子力のもんじゅも同じ構図である。
過去、経済産業省には何度もEUVの国産機戦略は間違っていると担当者に助言したが・・・。
技術開発で負けたのでなく、ビジネスモデルの仕掛け仕組みでEUV開発も負けたのである。
次世代プロセスR&Dでプロセスプラットフォーム開発をするIBM社とIMEC社を抱き込まない限りEUVでは勝てなかった。

"Facebook内の分析"
キヤノンは早い時期にEUV機開発見切りをつけた。
ニコンは、国プロに巻き込まれてしまった。
インテル社1社への開発投資金額としては余りにもリスクが大きい。
この時点で国内半導体メーカーは次世代プロセス開発は、ほぼギブアップ状態。
ASLM社はアングロサクソン連合を欧米と組みサムスン電子(IBM系プロセス)とTSMC社(IMEC系プロセス)を囲い込んだということが外環である。
この内側に、様々の戦術とロビーがあった
日本の半導体産業凋落は無策な日本政府の産業政策にあり、TPPと同じ日米半導体摩擦を米国半導体工業会(SIA)からロビー活動で起こされ、経済産業省幹部よ日本の大手半導体メーカー幹部と半導体協定で妥協したことが最大も要因であろう。