緊急分析：3DLSIを実現するTSV技術の動向

2012年12月8日、SEMITechnology Symposium（STS）2011でTSMC社は、『システムスケーリングに向けた課題と対応技』と題して講演した。
この講演では、2012年に投入予定の28nm FPGA複数枚をSiインターポーザで接続する2.5次元パッケージの長所として、トータルの歩留りと低消費電力の2点によって歩留り向上と低コストを両立できる点を述べている。
2013年にはGPUとネットワーク系チップをインターポーザ接続したパッケージの量産を計画しており、事業化では2.5次元パッケージが先行する見通し明らかにした。
同社は、有機樹脂基板側の様々なファンクションをSi基板側に移すことも検討している。
3次元LSIについては、ワイドI/Oメモリに関するメモリメーカーのビジネス上の理由から量産が遅れているとしている。

※関連記事：半導体も３Ｄ、実用化加速　装置メーカーの主導権争い活発化
http://www.sankeibiz.jp/business/news/111208/bsc1112080501003-n1.htm

"Facebook内の分析"
米国IBM社は、米国メモリメーカーMicron Technology社の新型メモリHybrid Memory Cube（HMC）をニューヨーク州のEast Fishkill工場で生産すると発表。
新型メモリHMCは、IBM社の32nmHigh-k/メタルゲート・プロセスと次世代TSV技術に、Micronの先端DRAMを組み合わせて生産。
試作品はバンド幅が128Gバイト/secで、データ伝送時の消費電力を従来製品比で70％削減した他、面積も同1/10まで小型化している。

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緊急分析：国連宛に送られたとされる『ロックフェラーの書簡』を検証する

読者の皆さんもフリーメイソンの存在、欧州（英国）ロスチャイルド家、そして米国ロックフェラー家が地球の影の権力者であり富を握る物である事は、聞いた事はあるだろう。 金融・エネルギー・食糧・軍需産業・政治の全てを支配をしているという。 ※関連記事：「ロックフェラー 対 ロスチャイルド」説の研究 http://hexagon.inri.client.jp/floorA6F_he/a6fhe600.html ビル・クリントン氏(第42代米国大統領)もロックフェラー家の血縁であると囁かれている。 ※関連記事：合衆国大統領を志すなら、まず最初に、隠れユダヤ人に生まれつきなさい http://www15.ocn.ne.jp/~oyakodon/newversion/cr.htm 第44代オバマ大統領の国務長官ヒラリー・ ローダム ・クリントン女史は、クリントン大統領の元ファーストレディである。 近年、フリーメイソンの存在をようやく日本のメディアでも語られるようになった。 ハリウッドでもフリーメイソンの組織を組み込んだ映画が数多く公開されている。 『天使と悪魔』、『ナショナルトレジャー』などは表舞台に出る為の準備、世の中への啓蒙活動であろうか？ ダークマターから新世界に向けた時期に入ったのか？ アルカイダのリーダー、ビンラディン容疑者殺害をトリガーに、世界は第三次大戦への道へと向かう可能性が高まっている。 2002年に、国連宛に送られたとされるロックフェラーの書簡内にも第三次大戦と未来の支配者像が予告がされている。 国連は、ロックフェラーがスポンサーの組織である。 筆者にも見えている第三次大戦、そしてその時期も・・・。 ハイテク産業界の未来予測のブログ内の未来シナリオと恐ろしい程、類似している。 読者の皆さんに分かり説明をすると世界は、スターウォーズの映画のような支配者と抵抗勢力となり、この娯楽映画は黙示録であると筆者は考えている。 映画に登場する関係者を簡単にサマリーすると下記の様になる。 シス⇔元老院パルパティーン議長⇒ダースベーダ⇒銀河帝国軍(銀河共和国を騙し全てを吸収) VS ルークスカイウォーカー⇒ジェダイ⇒新共和国 この対立軸を見て何か分かりませんか？ スターウォーズの制作に深く関わっているスティーブン・スピルバー
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緊急分析：SiCウェハの大口径化で市場拡大を目指す日本半導体メーカー

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今回は、SiCの動向を分析しましょう。 富士電機は2011年度中に産業技術総合研究所とSiC 3インチのウエハ対応設備でSiC半導体の生産を始めるのに続き、早ければ2012年度に自社工場に6インチのラインを設置する方向で調整に入る。 ルネサスエレクトロニクスは、3インチで生産の成果を見極め、2012年度にも6インチでの生産開始するという。 ロームのSiCの工場は、ロームつくばであるが、地震のBCPリスクは付きまとうことになる。 ※関連記事：半導体メーカー、省エネパワー半導体の基板材を大口径化 http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201112070016.html ※関連記事：ローム、電力損失を大幅に抑えたＭＯＳＦＥＴ開発 http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201112050010.html?ref=reca ※関連記事：デンソーがSiCデバイス開発を加速、2015年発売の次世代EV搭載を目指す http://eetimes.jp/ee/articles/1112/09/news032.html 【過去の分析検証】 半導体ウォッチ（3）電子立国ニッポン再生のカギは“SiC技術”だ　2007/10/1 http://monoist.atmarkit.co.jp/feledev/articles/siliconeswatch/03/siliconeswatch03a.html "Facebook内の分析" ‎2007年の私の公開している上記の戦略通り付き進めば良い。 SiC成功への鍵は『熱との戦い、高耐圧モジュール化技術』である。 サムスン電子も”パワーデバイス(恐らくIGBT領域だが）再参入する。 日本半導体メーカーは原材料・装置・設計・デバイス・もモジュールを1つのパッケージ・サプライチェーンに仕上げ世界を攻めよ!!そこに勝機がある。 " Facebook内の分析" デンソーの布陣は、デンソー、トヨタ自動車、豊田中央研 究所。 デンソーがトヨタの次世代EV車にSiC（シリコンカーバイド） を搭載へ、2015年ターゲット。デンソー＝トヨタ、ローム＝日 産、三菱半導体＝三菱自動車。
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シリーズ5：崩壊する日本ハイテク産業のエピローグ➃

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▮成熟産業から斜陽産業化へと変わる半導体製造業界、それと連動する『サンセット・ジャパンセミコンダクター（日本半導体企業）』と影響を受けるサプラィチーン 今回は、読者の皆さんのために、AGDの見解とデータなど公開しながら評価分析して行きましょう。 2006年は、恐らく日本半導体産業（大手企業再編前）としては、完全凋落前の最後ピークの時期とであったはずである。 このピーク時点での日本半導体企業と海外企業の優劣、その差が何であるかとAGDが分析評価していた。（現在は、日本半導体企業を取り巻く環境更に悪化している） 日本半導体企業で、売上とマーケティング力で、良い成績を収めているのが『ローム（OKIセミ買収前』である。 上記ベンチマークの結果のように、マーケティング力が高い（明確なる戦略と組織力）企業が高い売上高と高い利益率を生みだす。 海外リーディング企業で、利益率低いのは欧STマイクロエレクトロニクス社であった。 何故なら、同社は、日本半導体企業のように、デパート型ラインナップの半導体戦略で、他の海外企業のブテック型半導体モデルにシフトする前だからである。 下記の図表からルネサスエレクトロニクスの半導体製品は、多くの分野で重複している事が分かるだろう。（富士通マイクロエレクトロニクス株式会社は、富士通セミコンダクター株式会社に社名変更されている） そして、日本半導体企業は、日本企業同士の半導体製品が同じセグメンテーションで競合し、お互いに争い、収益構造を悪化させている。 これは、日本企業（日本人）同士が、内ゲバ的な状態にあり、本来海外半導体企業相手にグローバルで戦争（経済・デザインウィン）をしなければならないのに、全くこれが出来ていないのである。 2010年11月18日のブルームバーグ社の単独インタビュー記事を見ると、「東芝を１つの事例」に衰退する日本半導体製造業界と半導体企業の未来像がくっきりと浮かび上がった。 筆者が東芝セミコンダクター社長のインタビュー（戦略）を読み解く限り、現実に即した攻めの経営であり、評価出来る業界へのメッセージである。 ※関連記事：東芝：フラッシュ工場１棟を閉鎖、最先端に集中－収益向上(Update1) http://www.bloomberg.co.jp/apps/news?pid=90900001&
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