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2011年12月8日木曜日

緊急分析:3DLSIを実現するTSV技術の動向

2012年12月8日、SEMITechnology Symposium(STS)2011でTSMC社は、『システムスケーリングに向けた課題と対応技』と題して講演した。
この講演では、2012年に投入予定の28nm FPGA複数枚をSiインターポーザで接続する2.5次元パッケージの長所として、トータルの歩留りと低消費電力の2点によって歩留り向上と低コストを両立できる点を述べている。
2013年にはGPUとネットワーク系チップをインターポーザ接続したパッケージの量産を計画しており、事業化では2.5次元パッケージが先行する見通し明らかにした。
同社は、有機樹脂基板側の様々なファンクションをSi基板側に移すことも検討している。
3次元LSIについては、ワイドI/Oメモリに関するメモリメーカーのビジネス上の理由から量産が遅れているとしている。

※関連記事:半導体も3D、実用化加速 装置メーカーの主導権争い活発化
http://www.sankeibiz.jp/business/news/111208/bsc1112080501003-n1.htm

"Facebook内の分析"
米国IBM社は、米国メモリメーカーMicron Technology社の新型メモリHybrid Memory Cube(HMC)をニューヨーク州のEast Fishkill工場で生産すると発表。
新型メモリHMCは、IBM社の32nmHigh-k/メタルゲート・プロセスと次世代TSV技術に、Micronの先端DRAMを組み合わせて生産。
試作品はバンド幅が128Gバイト/secで、データ伝送時の消費電力を従来製品比で70%削減した他、面積も同1/10まで小型化している。