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2011年12月7日水曜日

緊急分析:サムスン電子のNAND主力工場投資を中国に進出

今日の中央日報の記事に、韓国サムスン電子の最新戦略が読み取れる記事が記載されている。
中国に、サムスン電子が最先端半導体生産ラインを設立する。
海外に半導体生産ラインを作るのは米テキサス州(ロジック工場⇒ASIC,AppleA5製造ライン)に次いで2カ所目である。
サムスン電子はNANDフラッシュメモリの需要増加に対応するため中国に工場を作り、巨大な中国携帯市場(12億台)と成長を続けているデジタルカメラ市場やデータセンター(SSD)を狙いに行く。
サムスン電子は、韓国政府の知識経済部に海外生産ライン設立のための申請書を提出したと2011年12月6日に明らかにした。
中国の工場では、20nm級以下のNANDフラッシュ製品を生産する計画。
サムスン電子は2011年10月に韓国の華城(ファソン)事業場で20nm級NANDフラッシュの量産に入っている。
サムスン電子が中国を選択したのは、世界の半導体消費市場でさらに重要になっている中国市場に迅速に市場アクセスする為である。
サムスン電子の中国新工場は、早ければ来年に生産ライン建設を始め2013年の稼動を目標にしている。
日本の東芝セミコンダクター社はこの戦略にどう対抗するのか?
注目しなければならない。
このブログで東芝とサムスン電子の戦力分析を行う。

※関連記事:サムスン電子、中国に半導体工場設立へ
http://japanese.joins.com/article/225/146225.html?servcode=300&sectcode=300
※関連記事:Samsung、中国にNANDフラッシュのウエハーファブを建設か
http://eetimes.jp/ee/articles/1112/12/news028.html
~EE TIMES JAPAN記事抜粋~
中国の地元紙は2011年12月、「Samsung Electronicsは、中国にNAND型フラッシュメモリのウエハファブを建設し、2013年から稼働するための許可を申請中であると発表した」と報じた。
だたし、ファブの建設地はまだ決定していないという。
Samsungは約40億米ドルを投じて、中国のスマートフォン/タブレット端末メーカー向けに、NANDフラッシュを製造する施設を建設する計画だという。
同ファブでは、20nmプロセス技術を適用して製造を開始するとみられる。