緊急分析：サムスン電子の最新鋭Fab16　Hwaseongの投資額

韓国Samsung ElectronicsのDRAM最新鋭工場の発表である。
2011年9月22日韓国Hwaseongで建設が進められていたFab16が完成したと発表した。
20nmノード世代。
2012年には10nmノード世代が立ち上る。
すでに、20nmクラスプロセスでDDR3 DRAMの量産を開始している。
この前工程工場Fab16は12兆ウォン（約8400億円）を投じて建設されており、メモリ生産ラインとしては世界最大になる。
既に、リセッションに入っている半導体業界で8400億円/1工場の投資回収は可能か？
DRAMはコモディティ化しれおり、単一大規模型半導体ビジネスモデルも限界にきている。

※関連記事：Samsung launches 'industry's largest' memory fab
http://www.zdnet.co.uk/news/infrastructure/2011/09/22/samsung-launches-industrys-largest-memory-fab-40094004/
※関連記事：Samsung，Fab15の拡張とFab16の着工を発表
http://www.nikkeibp.co.jp/article/news/20100519/226689/?rt=nocnt
※関連記事：DRAM価格
http://www.dramexchange.com/

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