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2011年6月24日金曜日

緊急分析:GENUSION社を再評価する

NORライクなメモリの高速化と大容量化。
NORに要求されるメモリアプリは、『ブート・プログラム格納用途』である。
これは、仕方ない。
ブート用のメモリ自体、大容量は必要とされない。
1社オリジナルの供給・開発体制のメモリである事がむしろサプライチェーン上危険であると筆者は考えている。
下記のレポートはGENUSION社の開発状況をベタ褒めしているが、筆者は冷静に俯瞰した評価からの結論である。

※関連記事:【VLSI 2011レポート】日本の半導体ベンチャーがNORフラッシュの性能限界を突破
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20110621_454780.html
※関連記事:サムスン、次世代不揮発性メモリPRAMの量産開始を発表
http://www.samsung.com/jp/news/newsRead.donews_group=samsungelectronicsnews&news_seq=14821
※関連記事:Samsung、PRAM搭載の携帯機器向けMCPを発表
http://www.edrllc.jp/mtb/1004/148.html
※関連記事:サムスン電子 携帯電話向けにPRAMチップ搭載のマルチチップパッケージを業界で初めて供給
http://www.samsung.com/jp/news/newsRead.donews_group=samsungelectronicsnews&news_seq=18992

実応用としては"PRAM"で十分である。
PRAMをサポートする半導体メーカーは全て大手企業であり、ブレークスルーも出て来ている。
この事は、コスト競争力面でも優位である。
PRAMがアクセス性能とRAM領域と信頼性(データ保持など)を実現出来るとGENUSION社の提唱するB4(Back Bias assisted Band to Band tunneling)フラッシュ技術は必要としないだろう。

半導体メモリは、システム実現するためのビジネスであり、研究開発のテーマではないのである。

※関連記事:相変化メモリの機器への採用始まる、まずは携帯電話機
http://eetimes.jp/content/4497

 【ブログ内の検証】
●2010年7月27日火曜日
シリーズ3:日本(国)ハイテク産業への改革提言⑨
http://a-gd.blogspot.com/2010/07/3_6611.html
▮予告第2弾、B4-Flashメモリ技術のGENUSION社を再評価する