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2011年7月11日月曜日

緊急分析:エルピーダメモリ社も集中開発する3次元実装のコア技術『TSV』

ロイターの記事によれば、2013年3月までに250億円を広島工場の30ナノノードと25ナノノード・プロセスを用いた量産化を目的とする半導体製造の設備資金にあてて、100億円をシリコン貫通電極(TSV)などの研究開発の設備資金を投入する様である。

※関連記事:UPDATE2: エルピーダ<6665.T>が新株とCB発行で約797億円を調達、設備投資などに充当へ
http://jp.reuters.com/article/marketsNews/idJPnTK062926820110711
※関連記事:エルピーダ新株発行などで797億円調達、設備投資などに充当
http://jp.reuters.com/article/technologyNews/idJPJAPAN-22130320110711

筆者は、TSVの市場予測と技術動向は2008年時点で基調講演を行っている。
この資料は、アーキテクトGD社のホームページで閲覧出来る(有償)。

※関係記事:Semiconductor International 日本版 第17回テクニカルセミナー『SiPプロセス革命〜SiP、TSVでイニシアチブを握れ〜』開催
http://www.news2u.net/releases/30978/items/0/