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2011年7月26日火曜日

緊急分析:『半導体メモリの微細化競争は集結』そして、『3D TSV戦争が勃発する』

筆者は、過去TSV(3D実装)で基調講演に立ち、未来予測をして来た。
そして、遂にその日が来た。

”Facebook内の分析"
半導体メモリもようやく2Dでの『微細化戦争の終結』したが、今​後はデバイス積層化、3D⇒"TSV(Si貫通電極:TSV:T​hrough Silicon Via)戦争が勃発する”。
日本勢はシリコンの実装技術はまだ強​みがあり、韓国サムスン電子はこのメモリ大容量化で東芝セミコンダク​タとエルピーダメモリを追う形になる。
東芝はNAND型Flas​hメモリで、多層のセルを一括に形成できる"BiCS"の方法を​最初に実用化する。

※関連記事:半導体業界、メモリー大容量化-微細から積層へ迫られる決断
http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0320110726aaau.html?news-t0726
※関連記事:450mmウエハー、EUV、TSV、半導体製造の最新技術は実用化のめども立たず
http://eetimes.jp/news/3637
※関連記事:「省エネ」などで新型不揮発に脚光、3次元NANDはついにサンプル出荷
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/HONSHI/20110721/193528/

【ブログ内の検証】
●2011年7月11日月曜日
緊急分析:エルピーダメモリ社も集中開発する3次元実装のコア技術『TSV』
http://a-gd.blogspot.com/2011/07/3tsv.html