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2013年4月17日水曜日

緊急分析:韓国サムスン電子、19nmノードのNANDフラッシュメモリ量産開始

Facebook内の分析 韓国サムスン電子、19nmノードのNANDフラッシュメモリ量産開始した。 容量・セル構造は128GビットでTLC(Triple Level Cell)。400Mbit/secのデータ伝送速度を実現するToggle DDR 2.0を搭載している。 セル構造上、データ信頼性の極度の品質保証をしないPC向けのSSDと民生製品がターゲットだろう。 http://eetimes.jp/ee/articles/1304/17/news024.html