緊急分析:ソニーセミコンダクターのCMOSセンサー設備投資のリスクを検証する

筆者はFacebookの場所に、リアルタイム分析と登録友人達から来る質疑応答に対応している。
リアルタイム性から見るとハイテク産業の未来予測はFacebookで分析する重要テーマをアップしている事になる。
今回のテーマはソニー長崎へ設備投資するCMOSイメージセンサーのリスク検証を行なう。
簡単な背景から説明すると今回の設備投資先は、ソニー長崎。
投資増強するFABはソニーコンピュータエンターテイメント⇒ソニーセミコンダクター⇒東芝セミコンダクター(銀座自社ビル売却資金を購入にあてた)⇒ソニーセミコンダクターが買い戻しと複雑な流れがある。
まず、結論から言うとこの設備投資は『リスク度は高い』である。


【ソニーセミコンダクター採用CMOSセンサーのBSI技術の正体は？】
2011年11月9日米国Ziptronix社は、日本市場での今後の事業戦略について説明したようである。
この会見の中で、本年10月に締結したソニーセミコンダクターとの裏面照射型（BSI）イメージセンサ向け表面活性化接合技術ZiBondのライセンス供与の背景について、ウェハ接合工程での歪みによって、SiO2塗布が上手くできない他、ピクセルスケーリングが1.1μmで限界となっていた点を指摘した。
同社によれば、ソニーセミコンダクターは従来接着剤を用いてウェハを接合していたが、ZiBondの採用によって0.9μmの開発に成功している。
次世代CMOSセンサーBSI向けで画素サイズ0.7μmの開発も進められており、ZiBond技術を応用したSiO2膜塗布が不要なDBI（Direct Bonding Interconnect）技術が採用されている。
今後の日本でのライセンス供与については、年内に1件、2012年期までに2件実施する計画で、デバイスはイメージセンサに限定されないようである。
BSI採用企業は、Ziptronix社のこの技術をIPとして提供を受けると見て良いだろう。

※関連記事：「ソニーの裏面照射型CMOSセンサーにも採用」、酸化膜接合の新技術のインパクトとは！？
http://eetimes.jp/ee/articles/1111/16/news022.html

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