緊急分析:シリコン貫通電極(TSV)の未来を検証する

今日、エルピーダメモリがワイドI/OのソリューションとしてTSV開発を完了したとプレスリリースした。
そのTSVの未来の可能性は？
JEDECが3DS(主にTSVを使うDRAMの積層規格)の標準化をしている。
この技術を検証して行こう。

※関連記事:エルピーダ、モバイル機器向けWide IO準拠の4GビットDRAMを開発
http://headlines.yahoo.co.jp/smartphone/hl?a=20111116-00000003-mycomj-sci
※関連記事：JEDECが「DDR4」とTSVを使う「3DS」メモリ技術の概要を明らかに
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/20111107_488696.html

【過去の基調講演】
Semiconductor International 日本版　第17回テクニカルセミナー
『SiPプロセス革命～SiP、TSVでイニシアチブを握れ
http://www.atsoho.com/news/news2u/release.php?id=NRR200830978.xml

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緊急分析：国連宛に送られたとされる『ロックフェラーの書簡』を検証する

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緊急分析：SiCウェハの大口径化で市場拡大を目指す日本半導体メーカー

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今回は、SiCの動向を分析しましょう。 富士電機は2011年度中に産業技術総合研究所とSiC 3インチのウエハ対応設備でSiC半導体の生産を始めるのに続き、早ければ2012年度に自社工場に6インチのラインを設置する方向で調整に入る。 ルネサスエレクトロニクスは、3インチで生産の成果を見極め、2012年度にも6インチでの生産開始するという。 ロームのSiCの工場は、ロームつくばであるが、地震のBCPリスクは付きまとうことになる。 ※関連記事：半導体メーカー、省エネパワー半導体の基板材を大口径化 http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201112070016.html ※関連記事：ローム、電力損失を大幅に抑えたＭＯＳＦＥＴ開発 http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201112050010.html?ref=reca ※関連記事：デンソーがSiCデバイス開発を加速、2015年発売の次世代EV搭載を目指す http://eetimes.jp/ee/articles/1112/09/news032.html 【過去の分析検証】 半導体ウォッチ（3）電子立国ニッポン再生のカギは“SiC技術”だ　2007/10/1 http://monoist.atmarkit.co.jp/feledev/articles/siliconeswatch/03/siliconeswatch03a.html "Facebook内の分析" ‎2007年の私の公開している上記の戦略通り付き進めば良い。 SiC成功への鍵は『熱との戦い、高耐圧モジュール化技術』である。 サムスン電子も”パワーデバイス(恐らくIGBT領域だが）再参入する。 日本半導体メーカーは原材料・装置・設計・デバイス・もモジュールを1つのパッケージ・サプライチェーンに仕上げ世界を攻めよ!!そこに勝機がある。 " Facebook内の分析" デンソーの布陣は、デンソー、トヨタ自動車、豊田中央研 究所。 デンソーがトヨタの次世代EV車にSiC（シリコンカーバイド） を搭載へ、2015年ターゲット。デンソー＝トヨタ、ローム＝日 産、三菱半導体＝三菱自動車。
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シリーズ5：崩壊する日本ハイテク産業のエピローグ➃

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