緊急分析:IBM社が世に送り出す次世代メモリ
今日は過去にもこのブログで分析した次世代メモリについて検証しょう。
"Facebook内の分析"
米国IBM社は、米国メモリメーカーMicron Technology社の新型メモリHybrid Memory Cube(HMC)をニューヨーク州のEast Fishkill工場で生産すると発表した。
この新型メモリのHMCは、IBM社の32nmHigh-k/メタルゲート・プロセスと次世代TSV技術に、Micronの先端DRAMを組み合わせて生産される。
プロトタイプは、バンド幅が128Gバイト/秒で、データ伝送時の消費電力を従来製品比で70%削減した他、面積も同1/10まで小型化している。
これを実現したのは"TSV"技術である。
【ブログ内の検証】
※関連記事:シリーズ6:ハイテク日本再起動計画の提言➄
『ハイテク産業界の未来予測ブログ内』次世代ユニファイドメモリ勝者の検証
http://a-gd.blogspot.com/2011/01/6_11.html
※重要分析:(技術ベンチマークテスト公開):
シリーズ3:日本(国)ハイテク産業への改革提言⑨
http://a-gd.blogspot.com/2010/07/3_6611.html
"Facebook内の分析"
米国IBM社は、米国メモリメーカーMicron Technology社の新型メモリHybrid Memory Cube(HMC)をニューヨーク州のEast Fishkill工場で生産すると発表した。
この新型メモリのHMCは、IBM社の32nmHigh-k/メタルゲート・プロセスと次世代TSV技術に、Micronの先端DRAMを組み合わせて生産される。
プロトタイプは、バンド幅が128Gバイト/秒で、データ伝送時の消費電力を従来製品比で70%削減した他、面積も同1/10まで小型化している。
これを実現したのは"TSV"技術である。
【ブログ内の検証】
※関連記事:シリーズ6:ハイテク日本再起動計画の提言➄
『ハイテク産業界の未来予測ブログ内』次世代ユニファイドメモリ勝者の検証
http://a-gd.blogspot.com/2011/01/6_11.html
※重要分析:(技術ベンチマークテスト公開):
シリーズ3:日本(国)ハイテク産業への改革提言⑨
http://a-gd.blogspot.com/2010/07/3_6611.html