緊急分析：エルピーダメモリ社も集中開発する3次元実装のコア技術『TSV』

ロイターの記事によれば、2013年3月までに250億円を広島工場の30ナノノードと25ナノノード・プロセスを用いた量産化を目的とする半導体製造の設備資金にあてて、100億円をシリコン貫通電極（TSV)などの研究開発の設備資金を投入する様である。

※関連記事：UPDATE2: エルピーダ<6665.T>が新株とＣＢ発行で約797億円を調達、設備投資などに充当へ
http://jp.reuters.com/article/marketsNews/idJPnTK062926820110711
※関連記事：エルピーダ新株発行などで797億円調達、設備投資などに充当
http://jp.reuters.com/article/technologyNews/idJPJAPAN-22130320110711

筆者は、TSVの市場予測と技術動向は2008年時点で基調講演を行っている。
この資料は、アーキテクトGD社のホームページで閲覧出来る（有償）。

※関係記事：Semiconductor International 日本版　第17回テクニカルセミナー『SiPプロセス革命〜SiP、TSVでイニシアチブを握れ〜』開催
http://www.news2u.net/releases/30978/items/0/

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緊急分析：国連宛に送られたとされる『ロックフェラーの書簡』を検証する

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緊急分析：SiCウェハの大口径化で市場拡大を目指す日本半導体メーカー

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今回は、SiCの動向を分析しましょう。 富士電機は2011年度中に産業技術総合研究所とSiC 3インチのウエハ対応設備でSiC半導体の生産を始めるのに続き、早ければ2012年度に自社工場に6インチのラインを設置する方向で調整に入る。 ルネサスエレクトロニクスは、3インチで生産の成果を見極め、2012年度にも6インチでの生産開始するという。 ロームのSiCの工場は、ロームつくばであるが、地震のBCPリスクは付きまとうことになる。 ※関連記事：半導体メーカー、省エネパワー半導体の基板材を大口径化 http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201112070016.html ※関連記事：ローム、電力損失を大幅に抑えたＭＯＳＦＥＴ開発 http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201112050010.html?ref=reca ※関連記事：デンソーがSiCデバイス開発を加速、2015年発売の次世代EV搭載を目指す http://eetimes.jp/ee/articles/1112/09/news032.html 【過去の分析検証】 半導体ウォッチ（3）電子立国ニッポン再生のカギは“SiC技術”だ　2007/10/1 http://monoist.atmarkit.co.jp/feledev/articles/siliconeswatch/03/siliconeswatch03a.html "Facebook内の分析" ‎2007年の私の公開している上記の戦略通り付き進めば良い。 SiC成功への鍵は『熱との戦い、高耐圧モジュール化技術』である。 サムスン電子も”パワーデバイス(恐らくIGBT領域だが）再参入する。 日本半導体メーカーは原材料・装置・設計・デバイス・もモジュールを1つのパッケージ・サプライチェーンに仕上げ世界を攻めよ!!そこに勝機がある。 " Facebook内の分析" デンソーの布陣は、デンソー、トヨタ自動車、豊田中央研 究所。 デンソーがトヨタの次世代EV車にSiC（シリコンカーバイド） を搭載へ、2015年ターゲット。デンソー＝トヨタ、ローム＝日 産、三菱半導体＝三菱自動車。
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シリーズ5：崩壊する日本ハイテク産業のエピローグ➃

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